Кoмитeт JEDEC сooбщил o публикaции oбнoвлённoгo стaндaртa пaмяти с высoкoй прoпускнoй спoсoбнoстью (HBM) — стaли дoступны чистoвыe спецификации стандарта HBM3.
Главным изменением по мнению сравнению с HBM прошлого поколения стало размножение скорости обмена по каждому контакту шины данных с 3,2 Гбит/с по 6,4 Гбит/с. Для высокоёмких вычислений, начиная обработку графики, это станет новым прорывом в завтра.
С учётом вдвое возросшей скорости обмена вдоль одному контакту, общая скорость возьми один модуль памяти HBM3 (на плеть) будет достигать 819 Гбайт/с. Паче того, это не предел возможностей HBM3. Современные решения сигнальных интерфейсов весь допускают выход за рамки 1 Тбайт/с в (видах памяти HBM3. Массовыми такие решения навряд ли ли станут, но и Samsung, и SK Hynix готовы издавать память HBM3 со скоростью обмена вне, чем предусмотрено стандартом JEDEC.
Цифра каналов памяти также удвоено с 8 прежде 16, благодаря двум псевдоканалам нате каждый канал. Более того, после счёт организации виртуальных каналов точки соприкосновения число каналов работы с памятью может -побывать) увеличено до 32.
На момент публикации стандарта выше чего стеков HBM3 допускает выпуск памяти с 4, 8 и 12 слоёв. В будущем кончай возможно производство модулей HBM3 из 16 слоёв памяти в стеке. Бери каждый слой допускается кристалл памяти ёмкостью ото 8 до 32 Гбит (1–4 ГБ). Тем самым минимальная гидропульт одного стека HBM3 составит 4 ГБ, а максимальная — 48 ГБ (в будущем 64 ГБ).
Рабочее труд памяти HBM3 снижено до 1,1 В, сиречь и уменьшено сигнальное напряжение на интерфейсе хоста (накануне 0,4 В). Это означает, что энергоэффективность работы памяти HBM3 полно выше, чем у памяти HBM2 при прочих выгодах, в том числе и в два раза возросшую скорость передачи данных.
