Samsung сooбщилa o сoздaнии грaфичeскoй пaмяти нoвoгo типa GDDR6W. Oснoвными сфeрaми eё примeнeния называют высокопроизводительные графические решения и приложения виртуальной реальности.
Реминисценция Samsung GDDR6W основана на решениях Samsung GDDR6 (x32) и дополнена технологией Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), которая существенно увеличивает пропускную способность и ёмкость памяти рядом сохранении прежних размеров упаковки. Вследствие неизменной занимаемой площади новые микросхемы памяти не возбраняется легко использовать в тех же производственных процессах, которые клиенты использовали на памяти GDDR6.
Технология FOWLP предусматривает монтировка кристалла памяти непосредственно на кремниевой пластине, а невыгодный на печатной плате. При этом применяется методика RDL (Re-distribution layer), которая обеспечивает стократ более тонкие схемы разводки. Вне того, отсутствие печатной платы убавляет толщину корпуса и улучшает рассеивание тепла. В результате Samsung смогла вдвойне увеличить количество микросхем памяти в упаковке, вздвоить ёмкость графической памяти DRAM – с 16 Гбит впредь до 32 Гбит, а также удвоить пропускную человек с толком и количество операций ввода-вывода – с 32 вплоть до 64. Другими словами, площадь, необходимая интересах памяти, была уменьшена на 50% сообразно сравнению с предыдущими моделями.
Технология GDDR6W может охранять пропускную способность уровня HBM на системном уровне. В среднем, HBM2E обеспечивает скорость передачи данных 3,2 Гбит/с бери контакт и имеет пропускную способность получи и распишись системном уровне 1,6 ТБ/с. В целях GDDR6W эти показатели составляют 22 Гбит/с сверху контакт и 1,4 ТБ/с на системном уровне держи основе 512 контактов ввода-вывода.
