Silicon Motion прeдстaвилa три нoвыx кoнтрoллeрa во (избежание твeрдoтeльныx нaкoпитeлeй с интeрфeйсoм PCI Express 4.0 и пoддeржкoй прoтoкoлa NVMe 1.4. Флaгмaнскaя мoдeль SM2264 рaссчитaнa угоду кому) испoльзoвaния в нaкoпитeляx сaмoгo высoкoгo клaссa, мoдeли SM2267 и SM2267XT предназначены в (видах сегмента более доступных потребительных решений.
Управляющее устройство Silicon Motion SM2264 является решением самого высокого класса. Возлюбленный предназначается для использования в составе NVMe-накопителей получи базе чипов флеш-памяти 3D NAND TLC и QLC. В его основе используется 12-нм четырёхъядерный сердце компьютера ARM R8 с поддержкой четырёх линии PCI Express 4.0 со скоростью 16 Гбит/с для линию и 8 каналов памяти NAND со скоростью 1600 МТ/с получай канал.
Для новинки заявлена сохранение седьмого поколения фирменного алгоритма NANDXtend чтобы проверки и восстановления данных (ECC).
А присутствие встроенной поддержки технологии виртуализации устройств SR-IOV позволяет пустить в ход до восьми виртуальных машин с прямым доступом к интерфейсу PCIe.
Заявлено который контроллер SM2264 может обеспечить поспешность последовательного чтения до 7,4 ГБ/с и соэ последовательной записи до 6,8 ГБ/с. Режим при случайном чтении и записи короче достигать внушительных 1 млн. IOPS. До словам Silicon Motion, данный управляющее устройство уже начал поставляться ведущим компаниям, занимающимся производством твердотельных накопителей.
Контроллеры SM2267 и SM2267XT предназначены ради более доступных потребительских твердотельных накопителей. Отдельный из них обеспечивают поддержку четырёх силуэт PCI Express 4.0 со скоростью 16 Гбит/с возьми линию, а также четырёх каналов памяти NAND со скоростью раньше 1200 МТ/с на канал.
Про обеих новинок производитель заявляет стремительность последовательного чтения и записи на уровне 3900 МБ/c и 3500 МБ/с должно. Производительность при случайном чтении и дневной журнал будет достигать 500 000 IOPS.
Регулятор SM2267 поддерживает работу с буфером изо DRAM-памяти. В свою очередь прототип SM2267XT лишена поддержке буфера изо DRAM-памяти. Как и старшая натурщица, оба более доступных варианта могут сидеть за работой с самыми современными чипами памяти 3D NAND TLC и QLC и поддерживают технологию NANDXtend ECC, отвечающую следовать контроль и исправление ошибок.
